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搜头条导读:“中国功率半导体领路人”陈星弼院士在成都逝世

记者4日从电子科技大学获悉,中国科学院院士、电子科技大学传授陈星弼因病医治无效,于4日17时10分在成都逝世,享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江浦江。1952年从同济大学电机系结业后,他先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)事变。1999年当选为中国科学院院士,2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士。

陈星弼是我国功率半导体规模的领路人和集大成者。他生平颁发学术论文200余篇,得到中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家,他的超结发现专利冲破传统“硅极限”,被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。

陈星弼曾得到国度技能发现奖、科技前进奖等诸多声誉,2015年得到IEEE ISPSD(国际功率半导体器件与集成电路年会)揭晓的最高声誉“国际功率半导体先驱奖”,

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,成为亚太地域首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届绅士堂,成为首位入选绅士堂的华人科学家。

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